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Zenity Fargo

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image sticking test method and spec

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发表于 2019-7-13 09:29:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
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发表于 2019-7-13 09:51:27 | 显示全部楼层

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短期残影的评价方法

短期残影的评价方法

(TFT迟滞)造成短残的原因:1、栅间绝缘层内部缺陷态;2、多晶硅和栅间绝缘层间界面缺陷态。

载流子被陷阱捕获及逃逸出陷阱这一过程随着外加电压不断重复。当外加高栅压,缺陷态捕获载流子,使得阈值电压升高,从而降低了电流;当外加低栅压,缺陷态载流子被释放,电流从而升高。

栅压不是很大,时间不是很长,界面缺陷态占主导;

高栅压,长期偏置,内部缺陷占主导。

mmexport1565138522876.jpg
255灰阶的棋盘格降到48灰阶后,原白格亮度低于原黑格亮度
mmexport1565138529293.png
由于TFT的迟滞效应,L255->L48,电流小于 L0->L48,因此造成了上述棋盘格短残的亮暗颠倒现象。评价短残标准可分为:
光学类:1、L48保持10秒,切换棋盘格10秒,再切回L48保持60秒,测出左侧亮度变化情况L1;
2、L48保持10秒,切换棋盘格10秒,再切回L48保持60秒,测出右侧亮度变化情况L2;编辑错误,请忽略此行:回L48保持60秒,测出左侧亮度变化情况L1;当JND<0.004时,可认为短残现象消失。
mmexport1565138535908.jpg

mmexport1565138540806.jpg
电学类:
1、Vgs从L255对应值变为L48的对应值,测量电流变化情况 I255;2、Vgs从L0对应值变为L48的对应值,测量电流变化情况 I0;当ΔIds ≤0.01可认为残影消失。
IMG_20190807_084623.jpg


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发表于 2019-8-8 08:29:11 | 显示全部楼层
结论不对,短残与TFT迟滞不相同,应该是偏压下的特性漂移,以及柔性PI极化相关性更大
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 楼主| 发表于 2019-8-8 23:31:04 | 显示全部楼层
rosa 发表于 2019-8-8 08:29
结论不对,短残与TFT迟滞不相同,应该是偏压下的特性漂移,以及柔性PI极化相关性更大 ...

那TFT迟滞会不会造成残影呢?是不是残影的root cause之一?
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发表于 2019-8-10 14:09:30 | 显示全部楼层
会造成,但是结合目前的使用状态,很难遇到正反扫一直持续,而且目前vth变化很小
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 楼主| 发表于 2019-8-10 23:07:26 | 显示全部楼层
rosa 发表于 2019-8-10 14:09
会造成,但是结合目前的使用状态,很难遇到正反扫一直持续,而且目前vth变化很小 ...

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